報告題目：低維半導體中的激子發光與性能調控

報  告 人：莊秀娟 教授，湖南大學

研究方向：低維半導體的可控製備、光電性能調控和器件構建

報告時間：2023年6月2日（星期五） 上午10:00

報告地點：量子樓410

報告摘要：

相比體相材料，低維半導體中的電子和空穴一般具有更強的庫侖相互作用，從而更容易產生激子效應。激子的複合發光成為直接帶隙半導體一種重要的發光機制。例如，二維層狀材料中的過渡金屬硫族化合物體系，它們不僅存在顯著的層內激子，在範德華異質結里還存在較強的層間激子效應。同時，鈣鈦礦體系里也存在一種具有大的斯托克斯位移的、寬帶發光的激子效應，自陷激子。這些新奇的激子效應不僅豐富了半導體激子光譜的知識體系，其高效的複合發光還將有效拓寬低維半導體在光發射器件中的應用。

報告人簡介：

莊秀娟，湖南大學半導體2（集成電路2）教授，博士生導師。2008年6月獲得中國科學技術大學物理化學專業博士學位，隨後赴美國亞利桑那州立大學從事博士後研究。2010年底回國入職湖南大學物理與微電子科學2，2023年轉入湖南大學半導體2（集成電路2）任教，從事低維半導體的可控製備、光電性能調控和器件構建等研究。近五年，以通訊作者在Adv.Funct Mater、Nano Lett.、ACS Energy Lett等期刊上發表論文二十餘篇。主持國家自然科學基金項目3項，湖南省科技計劃重點項目1項。2013年入選教育部“新世紀優秀人才支持計劃”，湖南省自然科學基金傑出青年基金獲得者，2018年獲得湖南省自然科學一等獎（第四完成人），2019獲得國家自然科學二等獎（第五完成人）。湖南大學首屆青年教師教書育人模範、教學能手。